比亚迪-霸晶芯科的SIC单管具有高速开关、低寄生电容、高阻断电压等特点,广泛应用于电动汽车充电、DC-AC逆变器、高压DC/DC变换器和功率因子校正模块等应用领域。其独特的优势在于采用碳化硅技术,具有更低的导通电阻和更高的温度稳定性。
我们的SIC单管采用碳化硅MOSFET技术,具有卓越的性能,适用于多种应用。不仅如此,它还具备高速开关、低寄生电容和高阻断电压等特点,为电动汽车充电、逆变器和高压变换器等应用提供卓越性能。采用碳化硅技术,我们的产品具有更低的导通电阻和更高的温度稳定性,比亚迪-霸晶芯科,坚定致力于为您提供超越期望的创新解决方案,与您携手共创辉煌未来。
产品型号 | 漏-源电压(V) | 漏极电流(A) | 漏-源通态电阻(mΩ) | 下载 |
BSN080S120 | 1200 | 36 | 80 | |
BSN040S120 | 1200 | 60 | 40 | |
BSN160S120 | 1200 | 18 | 160 |
BSK060S075 | 750 | 30 | 60 | |
BSK080S120 | 1200 | 36 | 80 | |
BSK040S120 | 1200 | 60 | 40 | |
BSK080N120 | 1200 | 36 | 80 | |
BSK035S075 | 750 | 60 | 35 | |
BSK160S120 | 1200 | 18 | 160 |
BSJ080S120 | 1200 | 36 | 80 | |
BSJ040S120 | 1200 | 60 | 40 |
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